日前，西安交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院先進陶瓷研究所博士生戴培赟在楊建鋒教授指導(dǎo)下用物理氣相傳輸法成功制備出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加燒結(jié)助劑的條件下獲得了接近理論密度的純碳化硅塊體陶瓷材料，標志著西安交大在陶瓷研究方面獲得重要進展。

 
　　物理氣相傳輸法(HTPVT)是制備單晶碳化硅的常用方法，在材料學(xué)院碳化硅單晶材料研究的基礎(chǔ)上，戴培赟在研究工作中進行了不同原料密度和燒結(jié)工藝的對比試驗，建立了碳化硅多晶陶瓷的生長模型，并從熱力學(xué)和動力學(xué)角度解釋了碳化硅多晶生長的原理。此方法完全不同于現(xiàn)有的碳化硅陶瓷的制備工藝，獲得的材料具有優(yōu)異的性能，在軍工、電子、機械等行業(yè)具有良好的應(yīng)用前景，此技術(shù)已申請國家發(fā)明專利。

　　目前，戴培赟作為第一作者完成的《Fabrication of highly dense pure SiC ceramics via the HTPVT method》論文已被材料科學(xué)領(lǐng)域的國際權(quán)威雜志《Acta Materialia》接收，并準備發(fā)表。

　　該研究受到國家基金委項目、教育部博士點基金項目支持。